- полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором
- lauko tranzistorius su izoliuota silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon insulated-gate FET; silicon insulated-gate field-effect transistor vok. Feldeffekttransistor mit isoliertem Si-Gate, m rus. полевой транзистор с изолированным кремниевым затвором, m pranc. transistor à effet de champ à grille de silicium isolée, m
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.